三星成功开发5nmEUV节点功耗降低 20%更加注重逻辑区域效率

据报道，台积电很可能会在今年第二季度开始量产其 7nm EUV 节点，不久之后三星就全面发布了有关其 5nm EUV 工艺的重大公告。这家韩国半导体巨头表示，其 5nm EUV 技术已经完成，现在可以为客户提供样品。与 7nm 工艺相比，最新的制造节点提供了一系列优势，我们将在下面详细讨论。

三星表示，与 7nm 相比，三星的 5nm FinFET EUV 可将逻辑区域效率提高 25%，同时将性能提高 10%。有趣的是，三星没有具体说明是否将其 5nm EUV 工艺与 7nm FinFET 工艺或 7nm FinFET EUV 进行比较，台积电将在今年晚些时候为多个客户推出 7nm FinFET EUV，其中包括华为的麒麟 985。我们还必须看看三星的 5 纳米 EUV 工艺与台积电的 7纳米 N7 Pro 架构相比有多大的性能提升，据报道，该架构是专门为苹果及其即将推出的 iPhone 系列的 A13 芯片制造的。

使用 EUV 光刻，掩模层将减少，从而在金属层图案化中提供更高的精度。三星可能会通过以下主要优势吸引更多客户;该公司的客户将能够将所有 7nm 知识产权重用于 5nm。这将使这些客户获得更低的迁移成本、预先验证的设计生态系统，并缩短他们的 5nm 产品开发。通过这种方式，假设三星能够获得大量订单，高通、海思等公司将能够更快地展示他们的产品。

“在成功完成 5nm 开发过程中，我们证明了我们在基于 EUV 的节点方面的能力。为了响应客户对先进工艺技术以实现其下一代产品差异化的激增需求，我们继续致力于加速基于 EUV 技术的批量生产。”

由于最初的 7nm 生产，最终会发生向 5nm EUV 工艺的过渡，这是三星第一个采用 EUV 光刻技术的工艺节点。该公司已提供业界首款基于 EUV 的产品的商业样品，并于今年年初开始量产 7nm 工艺。此外，三星还与客户合作定制了 6nm EUV 技术。

至于制造，目前正在韩国华城的 S3 生产线进行。此外，三星还将在华城将 EUV 产能扩大到一条新的 EUV 生产线，该生产线预计将于 2019 年下半年完成，并从明年开始量产。

如果三星的时间管理效率令人印象深刻，它可能会迫使一些台积电客户减少后者的订单。这些客户也可能在未来获得更好的价格谈判;这一切都取决于三星在其最新公告中的进展情况。

标签： 三星5nmEUV