研究人员对二维半导体二氧化锡做出了理论预测

最近，合肥物理研究所(HFIPS)固态物理研究所(ISSP)的郑小红教授的研究小组预测了一种新的二维(2-D)二氧化锡(SnO 2)单层相(P- 4 m 2)通过第一原理计算。

块状SnO 2是一种重要的n型宽带隙(〜3.6 eV)半导体，被广泛用作电极材料，化学传感器组件等，但是仍然缺少对二维中可能存在的氧化锡相的系统研究。特别地，考虑到SnO 2薄膜中的磁性，值得研究是否可以合成稳定的SnO 2 2-D相或可以诱导磁性。

在此研究中，研究人员提供的SnO的稳定和新的2 d相的直接证据2(δ-的SnO 2)与基于密度泛函理论方法，该方法是令人印象深刻其负面内泊松比和高拉胀性能电子迁移率。

此外，他们发现SnO 2价带结构在费米能级附近有两个墨西哥帽状的能带边缘，因此，在很宽的浓度范围内，空穴掺杂可能会引起铁磁相变和半金属基态。

他们还证明，SnO 2单层可以调整为XY磁体或Ising磁体，并且在适当的空穴浓度下，其磁性临界温度应高于室温。

所有上述发现表明，SnO 2的预测二维相提供了稀有p型磁性的新实例，并为自旋电子学应用提供了潜在的候选材料。

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