使用化学气相沉积构建五层单晶六方氮化硼结构
2022-06-09 16:26:51
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导读 隶属于韩国多个机构的一组研究人员与剑桥大学的一位同事合作，开发了一种使用化学气相沉积构建五层单晶六方氮化硼结构的方法。在他们发表在
隶属于韩国多个机构的一组研究人员与剑桥大学的一位同事合作，开发了一种使用化学气相沉积构建五层单晶六方氮化硼结构的方法。在他们发表在《自然》杂志上的论文中，该小组描述了他们的技术以及这种结构的可能用途。成均馆大学和淑明女子大学的 Soo Ho Choi 和 Soo Min Kim 分别在同一期刊上发表了一篇新闻和观点文章，概述了团队在这项新工作中所做的工作。
在过去的几年里，很明显需要找到一种替代品来替代在生产各种电子设备时用作基板的硅。作为该努力的一部分，六方氮化硼已被视为可能的继任者。然而，到目前为止，工程师们发现很难培养出足够均匀以用于生产环境的样品。事实证明，使用这种材料创建多层结构更具挑战性。在这项新的努力中，研究人员已经开发出一种方法来克服这些问题，并在这样做的过程中展示了使用该材料的五层结构。
该小组的技术始于改变将六方氮化硼薄膜作为单晶生长的传统方法。他们的方法涉及使用允许在化学气相沉积过程中暴露结晶镍平面的晶体片。他们还发现，将正在生长的结构放置在温度合适的环境中以进行正确的应用至关重要。他们发现 1,120 到 1,220 °C 的温度提供了最好的结果。在他们的方法中，小块的核首先生长——随着时间的推移，它们长到覆盖基底。研究人员随后表明，通过改变增长率他们可以增加额外的层，导致五层结构的发展。他们承认，控制每一层的厚度以确保均匀性被证明具有挑战性。
研究人员表示，他们的工作表明可以构建多层单晶六方氮化硼结构，从而开辟了将其用于半导体的可能性。
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