据报道称朗科正在开发DDR5 10000 RAM

NAND闪存设备专家朗科科技(Netac Technology)本周表示，它已经收到了第一批DDR5存储芯片样品，并开始致力于DDR5-10000 RAM模块的开发。鉴于DDR5具有所有性能增强功能，在实验室中达到10,000 MT / s的数据传输速度应该是可行的。但是最初的DDR5控制器和PHY是否支持它?

使额定为DDR5-6400的DRAM用作DDR5-10000是令人印象深刻的成就。同时，SK Hynix甚至在去年标准正式推出之前就展示了DDR5-8400的运行，这证明了新型DRAM对高数据传输速率的亲和力。

据IT Home称，对于其开发工作，朗科使用美光的DDR5工程样品标记为IFA45 Z9ZSB ZN5J 。美光公司的 FBGA标记解码器 证实了该DDR5芯片的存在，并揭示了其官方零件编号MT60B2G8HB-48B，这使我们了解了其一般规格：高达6400 MT / s的数据传输速率以及16Gb的容量。实际上，这已经 被 美光的一些分销合作伙伴列出。

朗科技术可能并不是很多人的家喻户晓的名字，但是这位存储专家在，韩国，新加坡和拥有300多项专利。该公司曾经声称自己发明了USB闪存驱动器，甚至起诉了包括联想和PNY在内的多家公司侵犯其专利。到现在为止，朗科已经将重点转移到了实际产品上，因此它拥有相当广泛的基于NAND闪存的存储设备和一些内存模块的产品组合。

凭借DDR4，朗科的最高成就是DDR4-3600模块，其CAS延迟时间为1.35V时为18-22-22-42。

DDR5炒作

DDR5架构支持许多方法，以在未来几年内在最佳RAM上实现I / O可伸缩性，包括DFE(决策反馈均衡器)，片上端接和改进的训练模式。DDR5芯片还具有片上单错误校正(SEC)ECC，以提高良率并支持高时钟，而DDR5模块则具有两个独立的通道以提高效率，并使控制器更易于高速使用它们。最后，DDR5模块可能配备有自己的PMIC和VRM，这可以使发烧级存储DIMM的制造商大大提高DRAM的性能。

但是有一个陷阱。像其他存储器制造商一样，SK Hynix在实验室中使用独立的DDR5存储器控制器和PHY，或者在同一PCB上与DDR5存储器芯片相邻的这种控制器的FPGA实现，实现了创纪录的数据传输速度。现实中的DDR5控制器和PHY可能以不同的方式实现。而且，它们被集成到复杂的SoC中，例如Intel的Alder Lake-S，引入了散热和噪声等限制。

此外，在实际的台式机系统中，内存芯片位于模块上，没有直接连接到PHY。因此，尽管我们知道在理想条件下DDR5存储器IC和DDR5 PHY /控制器可以在8400 MT / s的速度下正常工作，并表现出出色的信号完整性，但在实际情况下，情况可能会有所不同。实际上，即使这些模块在实验室中可以达到很高的数据速率，也仍然有待观察它们是否会以实际的消费型CPU和常规冷却系统达到相同的速度。

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