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英特尔可能有计划跟上摩尔定律

导读 英特尔是一家陷入困境的公司:台积电、苹果和其他竞争对手正在超越其芯片技术,而摩尔定律——实际上是由英特尔创始人创造的——开始让这家

英特尔是一家陷入困境的公司:台积电、苹果和其他竞争对手正在超越其芯片技术,而摩尔定律——实际上是由英特尔创始人创造的——开始让这家芯片制造商头疼。

然而,Twitter 用户@Underfox3 发现的一项专利发现,该公司很可能正在制定一项计划:将晶体管堆叠在一起,以便在更小的空间内获得更好的性能。现在,当然,这只是一项专利——公司出于各种原因一直为奇怪和古怪的东西申请专利,最有可能阻止竞争对手抢占先机。

但是,英特尔在思考如何将更多功率压入更小的空间这一问题时,有一些有趣的事情——也就是说,如果这种设计得以实现,英特尔可能会研究亚 2 纳米 (nm) 工艺。

正如英特尔所解释的那样:“第一个晶体管器件包括与主干边缘相邻的半导体沟道的第一垂直堆叠。第二个晶体管器件包括与主干边缘相邻的半导体沟道的第二垂直堆叠。第二个晶体管器件是堆叠在第一个晶体管器件上。”

这个极其书呆子的专利申请的最终结果是,英特尔可以创建一个 3D 垂直堆叠 CMOS 架构,允许在当前架构上增加晶体管数量——这对公司来说是一个巨大的推动力。然而,该公司确实指出,就目前而言,这些限制是“压倒性的”。

无法准确判断英特尔的设计可以实现什么样的性能提升,而且该公司明显没有推测,但台积电从5nm 工艺转移到 3nm 工艺导致了 10% 到 15% 的性能提升,同时使用高达功率减少 30%。

无论这项专利是否投入生产,看到英特尔解决如何从更少的资源中榨取更多电力的问题很有趣,尤其是在公司在新任首席执行官帕特·盖尔辛格 (Pat Gelsinger) 的领导下开始过渡的时候。亚 2nm 工艺将改变游戏规则,使英特尔与苹果令人难以置信的令人印象深刻的 M1 系列处理器保持一致。

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