三星已经意识到7纳米EUV芯片的3D堆栈占用更少的空间和功耗
2021-08-24 15:24:39
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导读 虽然三星已经开始大规模生产其下一代5纳米芯片，但该公司已经努力改进目前的7纳米工艺。这家韩国科技巨头宣布，已成功将3D堆叠技术应用于基
虽然三星已经开始大规模生产其下一代5纳米芯片，但该公司已经努力改进目前的7纳米工艺。这家韩国科技巨头宣布，已成功将3D堆叠技术应用于基于极紫外(EUV)的7纳米芯片。
三星将这项技术称为“扩展立方体”，即X-Cube，它涉及在逻辑芯片上堆叠SRAM。这是使用三星的硅通孔(TSV)技术完成的，该技术使用微小的孔来互连芯片上的层。
这种工艺明显不同于传统系统半导体中使用的工艺，传统系统半导体中逻辑芯片(如CPU、GPU)与SRAM位于同一平面。对于X-Cube，SRAM堆叠在逻辑管芯的顶部，占用空间更少，有助于更有效地节能。三星还透露，新技术将提高数据传输速度。
这家韩国科技巨头向世界保证，它将继续在促进半导体技术发展的新技术发展中突破界限。我们不知道三星将在哪里首先实现这种芯片组，但有猜测称，Galaxy S1可能会使用Exynos 990的改进版本，而Galaxy S21 Ultra将拥有5nm Exynos 1000。
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