三星开始量产采用EUV技术的14nm DRAM芯片

全球最大的内存芯片制造商三星宣布，已开始量产采用EUV(极紫外)技术的14nm DRAM芯片。该公司表示，EUV 技术可降低功耗、提高性能并缩短开发时间。

这家韩国公司将 EUV 应用于五层DDR5 DRAM，与上一代芯片相比，每片晶圆的生产率提高了 20%，功耗降低了 20%。该公司去年首次开始使用 EUV 制造 DRAM 芯片。2021 年 3 月，该公司推出了首款 DDR5 DRAM 棒，采用八层 16Gb 芯片，总容量为 512GB。现在，对于其14nm DDR5 DRAM 模块，该公司将使用八层 24Gb 芯片。

这些先进的 DRAM 芯片将首先用于 AI、大数据和 ML 流程的云服务器和数据中心。凭借最好的制造工艺和最高的性能，三星希望巩固其在全球存储芯片业务中的领先地位。

三星电子高级副总裁兼 DRAM 产品与技术负责人 Jooyoung Lee 表示：“我们通过开拓关键图案技术创新引领 DRAM 市场近三年。今天，三星正在通过多层 EUV 设定另一个技术里程碑，该技术实现了 14 纳米的极端小型化——这是传统氟化氩 (ArF) 工艺无法实现的壮举。在这一进步的基础上，我们将通过充分满足 5G、AI 和 Metaverse 的数据驱动世界中对更高性能和容量的需求，继续提供最具差异化的内存解决方案。”

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