SK海力士声称其176层4D NAND闪存的数据传输速度提高了33%

SK海力士开发了所谓的“业界最多层”176层4D NAND闪存，目前以512千兆位(64GB)三层单元(TLC)的形式提供。迁移到176层设计将保证更大容量的存储产品(包括SSD)有更快的启动速度。

数字无处不在，但SK海力士表示，向176层NAND的转移使bit生产率比上一代(96层)提高了35%。同时将单个细胞的读取速度提高了20%，数据传输速度提高了33%。

所有这些将如何转化为实际运输产品的性能，还有待观察。正因如此，SK海力士宣称移动产品是176层NAND的首批接受者，最高读取速度提升了70%，写入速度提升了35%。这些产品将在明年年中推出，随后是消费级和企业级SSD产品。

现在的NAND闪存产品都采用了堆叠式设计，所以命名为3D。然而，存储器制造商通过使用浮栅和传统的单元结构已经尽了最大努力。相比之下，176层设计使用了一种称为电荷陷阱闪存(CTF)的技术。

不同于浮栅技术，CTF将电荷存储在绝缘体中，不同于浮栅技术将电荷存储在导体中。与浮栅技术相比，CTF消除了单元间的干扰，提高了读写性能，减小了单位面积的单元面积。大多数3D NAND公司都采用CTF，”SK海力士解释道。

问题的另一部分是控制电路的位置。在常规存储器设计中，该层位于存储器单元结构旁边，但是在3D和SK海力士的所谓4D设计中，该层位于单元结构下面。

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